三靶磁控溅射镀膜仪

核心工作原理

在真空环境中，氩气等惰性气体被高频电场电离形成等离子体。磁场约束电子在靶材表面附近运动，增强与气体分子的碰撞电离效率，使离子高速轰击靶材表面。靶材原子或分子被溅射出来，沉积在基底上形成薄膜。三靶配置可实现单靶独立溅射、多靶共溅射或顺序溅射，灵活制备多元复合膜。

核心结构组成

• 真空系统：由真空腔体、机械泵、分子泵组成，极限真空度可达 10⁻⁴~10⁻⁶ Pa，保障镀膜环境纯净。
• 靶材系统：配备 3 个独立靶位，支持金属、合金、陶瓷等多种靶材（常用尺寸 φ50mm、φ76mm），可调节靶基距（通常 50~150mm）。
• 磁控溅射系统：每个靶对应独立磁控装置和射频 / 直流电源，电源功率 100~1500W 可调，适配不同靶材溅射需求。
• 基片台系统：支持基片加热（室温～600℃）、旋转（0~60rpm），部分可倾斜，提升薄膜均匀性。
• 气路与控制系统：多通道气体流量计，可精确控制氩气、氮气等气体流量；触摸屏 + PLC 控制，实现功率、时间、温度等参数精准设定。

主要功能与应用场景

• 功能优势：可制备单层膜、多层膜、掺杂膜、复合膜，镀膜速率稳定，薄膜附着力强、均匀性好。
• 应用领域：
  • 微电子领域：制备金属电极、半导体薄膜。
  • 光学领域：沉积增透膜、反射膜、滤光膜。
  • 材料科学领域：研发耐磨、耐腐蚀、超导等功能薄膜。
  • 生物医学领域：制备医用材料表面功能涂层。

关键技术参数（实验室级）

• 靶位配置：3 个独立靶位，支持直流（DC）、射频（RF）或中频（MF）溅射。
• 基片尺寸：最大支持 φ100mm 或 4 英寸晶圆，单次可处理多片小尺寸基片。
• 镀膜速率：0.1~100nm/min（随靶材和功率变化）。
• 真空度：极限真空≤5×10⁻⁶ Pa，工作真空 1~10Pa。
• 基片温度：室温～600℃（精度 ±1℃），支持水冷降温。

技术参数：